據報道，AMD 正在兩個不同的代工節點上製造即將推出的”Zen 5″和”Zen 5c”CPU核心晶片（CCD），為即將推出的Ryzen”Granite Ridge”桌上型電腦處理器、”Fire Range “行動處理器和EPYC”Turin”伺服器處理器提供基礎的Zen 5 CCD將在4奈米EUV代工節點上製造，這一節點比該公司目前製造”Zen 4″CCD的5奈米EUV節點稍先進一些。

另一方面，”Zen 5c”CCD，或高密度配置純”Zen 5c”內核的晶片組，將在更先進的3 奈米EUV 代工節點上製造。這兩款CCD 都將在2024 年第二季投入量產，預計下半年推出產品。

“Zen 5c”晶片組擁有龐大的32 個內核，分佈在兩個各有16 個內核的CCX 中。每個CCX 有16 個內核，共享32 MB 三級快取。這32 個核心每個都有1 MB 的二級緩存，總共64 MB 的三級緩存，這就是AMD 轉向3 奈米代工節點的原因。

另一個原因可能是電壓，”Zen 5c”內核可以被看成”Zen 5″的高度緊湊型變體，它的工作電壓帶低於其較大的兄弟型號，但IPC 或指令集沒有任何變化。

採用3 奈米製程的決定可能是為了在較低的電壓下提高時脈速度，以便在IPC 和核心數量之外，利用時脈速度提高效能。

採用”Zen 5c”晶片組的EPYC處理器將採用不超過6 個這樣的大型CCD，最大核心數為192 個。普通的”Zen 5″CCD 在單一CCX 中僅有8 個內核，內核之間共享32 MB L3 高速緩存；TSV 提供3D 垂直高速緩存，以便在特殊型號中增加L3 高速緩存。

在AMD Zen 5架構平台中，最關鍵的核心運算晶片是由台積電以3奈米製程製造。此外，HPC 平台MI300 系列也已投入量產，採用台積電的4 奈米和5 奈米製程。訂單動能有增無減，台積電今年從AMD獲得的先進製程訂單動能非常強勁。

業內分析認為，3 奈米製程的量產需要相對較長的時間。據估計，AMD 新的3nm 製程Zen 5 架構平台將在第二季左右進入晶圓量產階段。屆時，產能可望逐月提升。

目前，關於AMD Zen 5 核心架構的資訊還不是很多，但從該公司的官方聲明來看，它將提供更多的功能：

1. 提高性能和效率 
2. 前端重新管道化與寬幅問題 
3. 整合人工智慧和機器學習優化