根據美國喬治城大學沃爾什外交學院智庫CSET(安全與新興技術中心)的最新報告，美國晶圓廠的建設速度幾乎已經是全球最慢的，而中國大陸正在極速追趕上來。報告顯示，自1990年代以來，全球共新建了635座晶圓廠，平均建造時間為682天。

建造速度最快的是日本，平均只要584天，然後是韓國620天、中國台灣654天、歐洲和中東690天、中國大陸701天。

美國則需要長達736天，只比東南亞的781天略好。

如果劃分不同時段來看，美國的情況更不樂觀。

199x年和200x年，美國平均只需675天就能建造一座晶圓廠，進入201x年則要花費918天。

同時，中國大陸和中國台灣分別縮短到了675天、642天。

進入202x年，美國的晶圓廠建設更是困難重重，經常無法按期完工。

例如台積電位於亞利桑那州的Fab 21又延後了一年，Intel位於俄亥俄州的工廠從2025年延後到了2026年底，三星位於德州的工廠跳票到了2025年。

數量方面美國也在快速下滑，199x年新建了55座，200x年只有43座，201x年則僅22座，合計120座。

同期，中國大陸分別新建了14座、75座、95座，合計184座，比美國多了足足一半。

雖然數量和速度不代表一切，尖端工藝上我們差距還非常大，但CSET仍然提醒美國要小心中國的追趕。

儘管美國制定了《晶片法案》，推動半導體製造回流本土、抑制競爭，但效果不佳。

CSET強調，美國晶圓廠建設放緩，最大阻礙就是各種各樣、紛繁複雜的法律法規，看似對公眾有益，但嚴重阻礙了半導體發展，建議刪除那些沒必要的冗餘條款，為半導體業開綠燈。

建設中的Intel新工廠