半導體設備大廠ASML秀出價值高達3.5億歐元的High NA極紫外光（EUV）光刻機設備，除了英特爾率先取得設備之外，台積電及三星訂購的新機器預計最快2026年陸續到位，屆時High NA EUV機器可望成為全球三大晶圓製造廠搶進2奈米以下先進製程的必備武器。

媒體通報，ASML近期對外秀出High NA EUV光刻機設備，一台要價3.5億歐元，大小等同於一台雙層巴士，重量更高達150公噸，相較於兩架空客A320客機，裝機時間推估需要六個月，並需要250個貨箱、250名工程人員才能安裝完成，不僅價格高又相當耗時。

英特爾早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻機設備，不過，英特爾原預期將該光刻機設備導入在自家18A的先進製程量產，不過，日前英特爾CEO基辛格（ Pat Gelsinger）宣布，18A過程不會採用High NA EUV量產，代表暫時延後採用High NA EUV光刻機設備。

至於台積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機器採購上，腳步則慢於英特爾。業界指出，由於High NA EUV光刻機價格是目前EUV光刻機的兩倍，代表生產成本將大幅增加，由於明年即將量產的2奈米晶圓售價仍未大幅增加，成為台積電、三星不急於導入High NA EUV光刻機台的關鍵。

業界人士推測，台積電預計最快在1.4奈米（A14）才導入High NA EUV光刻機台，代表2025年才可望有採購設備的消息傳出，若按照台積電先前對外釋出的1.4納米量產時間將落在2027年至2028年計畫下，台積電的High NA EUV光刻機台交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。

不過，可以確定的是，ASML的High NA EUV光刻機台已成為英特爾、台積電及三星等晶圓製造大廠進軍2奈米以下先進製程的必備武器，僅是大量採用的時間先後順序差別。

事實上，進入7奈米以下後，台積電就開始導入EUV光刻機設備，原因在於光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重複光刻需求下，孔徑重複對準的精準度要求愈來愈高，讓EUV光刻機成為必備設備，不僅提高良率，也能降低生產成本。