中國領先的儲存企業長鑫儲存(CXMT)已經開始準備必要設備，並計劃製造自己的HBM高頻寬內存，以滿足迫切的AI、HPC應用需求。報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單採購製造、組裝、測試HBM記憶體的必要設備。

這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投產階段。

消息人士稱，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口HBM製造設備。

考慮到HBM內存需要先進、複雜的製造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得了突破。

目前，長鑫已經在合肥有了一座DRAM記憶體工廠，正在籌錢建造第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來製造H​​BM。

暫時還不清楚長鑫要生產的HBM是第幾代，可能是HBM3，而國際上已經有了更先進的HBM3E，SK海力士還計劃在2026年搶先投產HBM4。

根據規劃，HBM4將拋棄用了將近十年的1024-bit位寬，首次升級到2048-bit位寬，並有望堆疊更多層級，從而在容量、頻寬上都實現一次重大飛躍。