在即將於2024 年2 月舉行的IEEE 固態電路會議（SSCC）上，三星並不是唯一展示其最新技術的韓國記憶體巨頭，SK海力士也將加入其中，展示其易失性和非揮發性記憶體產品線的競爭技術。

首先，SK 海力士將是繼三星之後第二家展示GDDR7 記憶體晶片的公司。SK Hynix 晶片的速度為35.4 Gbps，低於三星展示的37 Gbps，但密度同樣為16 Gbit。這種密度允許在256 位元記憶體總線上部署16 GB 視訊記憶體。並不是所有的下一代GPU 都能達到37 Gbps 的最高速度，有些可能會以更低的顯存速度運行，SK 海力士的產品線中也有合適的選擇。

與三星一樣，SK Hynix 也採用了PAM3 I/O 訊號和專有的低功耗架構（不過該公司沒有詳細說明是否與三星晶片的四種低速時脈狀態類似）。

GDDR7 勢必會在下一代遊戲和專業視覺領域的顯示卡中佔據主導地位；然而，人工智慧HPC 處理器市場仍將主要依靠HBM3E。SK Hynix 在這方面進行了創新，並將展示全新的16 層48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆疊設計，單一堆疊的速度可達1280 GB/s。擁有四個這樣堆疊的處理器將擁有192 GB 內存，頻寬為5.12 TB/s。此堆疊採用了全功耗TSV（矽通孔）設計與6 相RDQS（讀取資料佇列選通）方案，以最佳化TSV 面積。

最後，SK Hynix 也將在會上首次展示其面向智慧型手機、平板電腦和輕薄筆記型電腦的LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）記憶體標準。由於採用了專有的寄生電容降低技術和電壓偏移校準接收器技術，該晶片可實現每引腳10.5 Gb/s 的資料傳輸速率和1.05 V 的DRAM 電壓。