除了37 Gbps GDDR7 記憶體外，三星電子還準備在2024 年IEEE-SSCC 上展示其他幾項記憶體創新。首先，該公司將展示新型280 層3D QLC NAND 閃存，密度為1 Tb，可用於下一代主流固態硬碟和智慧型手機儲存。此晶片的磁區密度為28.5 Gb/mm²，速度為3.2 GB/s。

目前為旗艦NVMe SSD 提供動力的最快3D NAND 快閃記憶體類型的I/O 資料傳輸速率約為2.4 GB/s。

即將到來的2024 年ISSCC 日程表概述了高速記憶體的展示計劃，其中包括基於三星和SK Hynix GDDR7 規格的37 Gb/s 和35.4 Gb/s 變體。兩家公司都打算利用創新的PAM3 和NRZ 訊號技術，在圖形記憶體領域取得進展。

雖然GDDR7 記憶體（速度高達32 Gb/s）已經正式發布，但三星和海力士正在以更快的記憶體開發速度進一步突破界限。美光（Micron）也加入了這場競爭，宣布致力於開發36 Gb/s 的GDDR7 內存，預計最早將於2026 年投放市場。在這種競爭態勢下，三星和海力士將首先推出速度稍低的模組，很可能會在稍後階段逐步推出35 Gb/s 模組。

接下來是新一代DDR5 記憶體晶片，其資料傳輸率為DDR5-8000，密度為32 Gbit（4 GB）。該晶片採用對稱馬賽克DRAM 單元架構，基於三星專為DRAM 產品優化的第5 代10 奈米級代工節點製造。

該晶片令人印象深刻的是，它允許PC 記憶體供應商以DDR5-8000 的速度構建32 GB 和48 GB DIMM（單排配置），以及64 GB 和96 GB DIMM（雙排配置）（前提是平台能很好地使用雙排的DDR5-8000）。

記憶體速度和頻寬一覽：

• [GDDR6/X] 256-bit @ 23 Gbps: 736 GB/s RTX 4080 SUPER
• [GDDR6] 384-bit @ 20 Gbps: 960 GB/s RX 7900 XTX
• [GDDR6/X] 384-bit @ 21 Gbps: 1.00 TB/s RTX 4090
• [GDDR6] 256-bit @ 24 Gbps: 768 GB/s
• [GDDR6] 384-bit @ 24 Gbps: 1.15 TB/s
• [GDDR7] 256-bit @ 32 Gbps: 1.00 TB/s
• [GDDR7] 384-bit @ 32 Gbps: 1.53 TB/s
• [GDDR7] 256-bit @ 37 Gbps: 1.18 TB/s
• [GDDR7] 384-bit @ 37 Gbps: 1.79 TB/s