SK海力士將擴大HBE生產設施投資，對透過矽通孔（TSV）相關的設施投資將比2023年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，併計劃在2024年上半年開始生產其第五代高頻寬記憶體產品HBM3E，以因應高性能AI產品需求的增加。

消息顯示，韓國半導體製造商SK海力士（SK hynix Inc．）將擴大其高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory）生產設施投資，以應對高性能AI產品需求的增加。該公司計劃，對通過矽通孔（TSV）相關的設施投資將比2023年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，併計劃在2024年上半年開始生產其第五代高頻寬內存產品HBM3E。

SK海力士財報顯示，該公司第四財季實現了1,131兆韓元（約84.6億美元）的營收和3,460億韓元（約2.59億美元）的營運利潤，這標誌著該公司連續五個季度營業虧損後再度轉為獲利。

SK海力士轉虧為盈主要歸因於HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的強勁銷售。與前一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3銷售額分別增加了四倍和五倍以上。為了延續這一上升趨勢，SK海力士計畫開始大規模生產人工智慧晶片HBM3E，並加速第六代HBM4的開發。

「我們預計HBM3E產品在2024年將會有巨大的需求，並計劃在年初開始大規模生產。我們打算根據這一需求將TSV產能翻倍，」該公司在一次電話會議中表示。關於是否追加投資，公司還表達了更謹慎的立場，“要等經過對長期需求、市場條件和供應鏈狀況的慎重考慮後再做決定。”

SK海力士計畫準備生產MCRDIMM和LPCAMM2，前者是將多個DRAM整合到一個基板上的高容量伺服器模組，後者是一種基於低功耗（LP） DDR5X的高效能行動模組，二者旨在滿足AI伺服器需求和設備端AI市場。

在專注於生產高附加價值產品的同時，SK海力士計劃將資本支出的成長最小化，並強調穩定的業務運作。「與前一年相比，我們將投資削減了一半以上，以應對需求疲軟的情況。我們在2024年的策略是保持謹慎的態度，專注於確保成長和盈利的領域，同時避免增加投資導致進入供應過剩的周期。」財務長金宇賢表示。

SK海力士解釋說，自從2023年第三季以，該公司來一直保持謹慎的生產策略，包括減產，導致銷售超過了生產，隨後改善了庫存水準。「我們將繼續保持謹慎的生產策略，直到2024年實現庫存正常化，同時預計DRAM的產量將在上半年保持穩定，NAND快閃記憶體的產量將在下半年保持穩定，」該公司表示。

分析師預計，該晶片製造商2024年的營運利潤將10兆韓元（約88.5億美元）。還有分析師預計該公司2024年營運利潤將達到10.6兆韓元（約94.2億美元），分析師認為，主要因為人工智慧晶片需求預計將增加。

自2023年初以來，SK海力士股價因其AI能力上漲近50%。