據業內人士稱，全球最大儲存晶片製造商三星電子公司在美國新設立了一個研究實驗室，以開發新一代3D DRAM。該實驗室隸屬於總部位於美國矽谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America （DSA），將致力於開發升級的DRAM模型，使三星能夠引領全球3D記憶體晶片市場。

去年10月，三星電子透露，其正在為10奈米以下的DRAM準備新的3D結構，允許更大的單晶片容量，可以超過100千兆位元。

三星電子於2013年在業界首次成功實現了3D垂直NAND快閃記憶體的商用化。