蘋果和其他智慧型手機生產商已經逐步增加了產品的儲存容量，但這樣做會增加硬體成本。現在，蘋果似乎正在考慮使用更便宜的記憶體。據報道，蘋果可能會改變其高容量iPhone 16 機型所使用的快閃記憶體類型，考慮使用密度更高、但速度可能更慢的四層單元NAND。

根據DigiTimes 的業內人士透露，蘋果可能會改變儲存容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 快閃記憶體，而是在儲存容量達到或超過1TB 的機型上使用四層單元（QLC）NAND 快閃記憶體。

與TLC 相比，QLC 的優勢在於每個儲存單元可以儲存四位數據，而不是三位。這使得QLC NAND 閃存在使用相同數量的單元時比TLC 儲存更多的數據，或使用更少的單元儲存更多的數據。理論上，這可以降低生產成本。

然而，QLC 在做到這一點的同時也做出了一些犧牲。QLC NAND 快閃記憶體被認為不如TLC 快閃記憶體可靠，寫入資料的耐久性會降低，因為每個單元寫入的次數更多，因為每個單元多包含一個位元。

QLC NAND 快閃記憶體可以儲存16 種不同的電荷電平，而TLC 僅能儲存8 種電荷電平。讀取資料時，由於電荷量增加，裕量減少，這就有可能因雜訊增加而導致位元錯誤增加。

如果蘋果繼續執行這項計劃，最終將意味著擁有1TB 儲存容量的iPhone 16 用戶可能會遇到資料寫入速度低於低容量用戶的情況。這反過來又會降低對效能有較高要求的使用者的某些效能。

性能上的差異可能還不足以成為問題。例如，市售的固態硬碟在快取已滿的情況下，TLC 快閃記憶體的寫入速度可達550MB/s，而同類TLC 版本的寫入速度可能只有450MB/s 或500MB/s。

這對於工作站電腦而非行動裝置來說更為重要。行動裝置的快閃記憶體寫入往往是突發的，而不是像工作站那樣是持續的。