隨著人工智慧的發展，市場對記憶體的要求更高，三星正在向市場推出基於特定應用要求的儲存組合產品。據悉，三星最近正在研發新型記憶體LLW DRAM，將高頻寬、低延遲、低功耗的特性結合在一起。三星將新的記憶體技術定位在需要運行大型語言模型（LLM）的裝置上，未來也可能出現在各種客戶端工作負載中。

LLW DRAM作為一種低功耗內存，擁有寬I/O、低延遲、每個模組/堆疊提供了128GB/s的頻寬，與一個128位元DDR5-8000內存子系統的頻寬相同。

同時，LLW DRAM還有另一個重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星並未告知該功耗下的具體資料傳輸速率。

據了解，LLW DRAM在設計上可能會借鏡GDDR6W，並採用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術將多個DRAM整合到一個封裝中。

目前三星已發表技術的預期效能細節，根據過往經驗，LLW DRAM很可能到了開發階段的尾聲。