SK hynix在一篇部落格文章中確認，將於2024年開始開發下一代HBM4高頻寬記憶體。到目前為止，我們已經看到美光（Micron）和三星（Samsung）列出了它們的下一代HBM4 記憶體產品，同時也證實了這一發展。這兩家公司都強調了2025-2026 年左右的發佈時間框架。根據SK hynix 的最新確認，該公司也宣布計劃在2024 年開始生產下一代高頻寬記憶體。

在談到HBM 產品時，資深經理Kim Wang-soo 強調指出，該公司將於2024 年量產自己的HBM3E 解決方案，這是現有HBM3 記憶體的增強型變體。新記憶體將提供更高的速度和容量。但同年，SK hynix 也計劃啟動HBM4 記憶體的開發，這將標誌著HBM 產品堆疊的持續演進邁出重要一步。

競爭優勢將在明年持續維持。GSM 團隊負責人Kim Wang-soo 表示：”隨著明年HBM3E 計劃的大規模生產和銷售，我們的市場優勢將再次得到最大限度的發揮。由於後續產品HBM4 的開發工作也將如火如荼地展開，SK Hynix的HBM 明年將進入一個新階段。這將是我們值得慶祝的一年。”

由於開發計畫將於2024 年進行，因此我們可以預計，採用這種記憶體模組的實際產品將於2025 年底或2026 年上市。Trendforce 最近分享的一份路線圖預計，首批HBM4 樣品的每個堆疊容量將達36 GB，完整規格預計將在2024-2025 年下半年左右由JEDEC 發布。首批客戶樣品和可用性預計將於2026 年推出，因此距離我們看到新的高頻寬記憶體解決方案的實際應用還有很多時間。

有了36 GB 的堆棧，產品可以提供288 GB 的容量，而且還計劃提供更高的容量。HBM3E 記憶體的最高速度已經達到9.8 Gbps，因此我們可以期待HBM4 率先突破10 Gbps 以上的兩位數大關。至於產品，NVIDIA 的Blackwell 預計將使用HBM3E 記憶體模組，因此它將成為Blackwell 的繼任者（可能以Vera Rubin 的名字命名）或其升級版，例如Hopper H200（HBM3E），成為第一個使用HBM4 的產品。