近日，荷蘭光刻機巨擘ASML公司宣布，優先向Intel公司交付其新型高數值孔徑（High NA EUV）的極紫外光刻機。據悉，每台新機器的成本超過3億美元，可協助電腦晶片製造商生產更小、更快的半導體。

ASML官方社群媒體帳號發布了一張現場照片。圖可以看到，光刻機的一部分被放在一個保護箱中。箱身綁著一圈紅絲帶，正準備從位於荷蘭埃因霍溫的總部出貨。

「耗時十年的開創性科學和系統工程值得鞠一躬！我們很高興也很自豪能將我們的第一台高數值孔徑的極紫外光刻機交付給Intel。」ASML 公司說道。

據了解，高數值孔徑的極紫外光刻機組裝起來比卡車還大，需要分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸，其中包括13個大型貨櫃。

據估計，該光刻機將從2026年或2027年起用於商業晶片製造。

公開資料顯示，NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的製程節點。

一般來說，金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的製程節點超越5nm，低數值孔徑光刻機的解析度就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助。

這樣不但會大大增加成本，還會降低良品率。因此，更高數值孔徑成為必需。

ASML 9月曾宣布，將在今年底出貨第一台高數值孔徑EUV光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”，可製造2nm製程乃至更先進的晶片。