英特爾CEO稱18A節點至少能與台積電的N2性能相媲美
隨著半導體製造商鞏固其3 奈米製程並加緊向2 奈米製程的競爭,台積電和英特爾最近就哪家公司將在未來幾年內擁有更優越的節點展開了激烈的爭論。台積電對自己目前的發展道路充滿信心,但英特爾的目標是搶先進入2 奈米工藝,重新確立在半導體產業的主導地位。
英特爾執行長帕特蓋爾辛格(Pat Gelsinger)聲稱,儘管英特爾即將推出的18A 製程節點(基本上是1.8 奈米)比台積電的2 奈米晶片早一年推出,但其性能可能超過台積電的2 奈米晶片。這項言論與台灣競爭對手最近的說法相矛盾。蓋爾辛格是在接受《巴倫周刊》採訪時發表上述言論的。
他不確定一個節點是否會明顯優於另一個節點,但他對公司的發布窗口持樂觀態度。該媒體將英特爾與台積電的競爭置於美國試圖在與中國的緊張關係中確保半導體供應的背景之下。身為市場領導者,台積電為蘋果公司的iPhone 15 和M3 Mac 處理器提供3nm 晶片。
該公司聲稱,即將推出的最佳化3 奈米節點N3P 將達到與英特爾18A 相當的功耗性能。這家台灣巨頭預計將在2024 年下半年實現N3P 的量產–大約與20A(2 奈米)和18A 同時出現。
此外,台積電相信其計劃於2025 年推出的2 奈米N2 節點將超越N3P 和18A。根據該公司首創的3 奈米製程模式,蘋果可能會優先獲得N2 節點,並將其用於iPhone 17 Pro。
蓋爾辛格對20A 和18A 充滿信心,主要是因為它們採用了RibbonFET 架構–該公司採用了全閘極(GAA) 電晶體和背面功率傳輸技術。這些技術對於製造2 奈米晶片的公司來說至關重要,可以在降低功率洩漏的同時實現更高的邏輯密度和時脈速度。同時,台積電的N3P 和其他即將推出的3nm 節點將繼續使用成熟的FinFET 架構,直到英特爾一年後的N2 節點轉向GAA。
英特爾和台積電並不是唯一準備製造2 奈米半導體的公司。三星也希望在2025 年進入2 奈米量產,而日本製造商Rapidus 則計劃在2025 年推出原型,並在2027 年開始量產。