集邦諮詢的報告顯示，ASML阿斯麥將在2024年生產最多10台新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機，其中Intel就定了多達6台。同時，三星星也在積極角逐新光刻機，台積電感覺壓力巨大。

NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的製程節點。

金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的製程節點超越5nm，低NA光刻機的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，不但會大幅增加成本，還會降低良品率。

因此，更高的NA成為必需。

ASML 9月曾宣布，將在今年底發貨第一台高NA EUV光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”，從0.33做到0.55，光刻分辨率縮小到8nm，可製造2nm工藝乃至更先進的晶片。

ASML並未公佈第一台高NA EUV微影機的客戶，但業界普遍認為正是Intel。

Intel最初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A工藝，但因為等不及，只能改用現有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。

ASML明年量產的高NA EUV微影機，將是改良型的Twinscan EXE:5200，支援大規模量產。

未來，ASML將把年產量進一步提高到20台左右。

這種新光刻機的成本和價格並沒有公開，猜測至少3億美元，甚至可能達到或超過4億美元，也就是逼近人民幣30億元。

目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。