隨著記憶體市場逐漸恢復，三星和SK海力士等記憶體巨頭預計將在明年大幅擴大設備投資。三星電子計畫將投資規模擴大25%，SK海力士計畫將投資規模擴大到今年的2倍以上，同時兩家公司也計畫增加生產能力。

據報道，三星和SK海力士都計劃在2024年增加半導體設備投資。三星電子預計投資27兆韓元（約207.8億美元），較今年成長25%；而SK海力士計畫投資5.3兆韓元（約40.7億美元），比今年增加100%。

除了增加半導體設備投資外，三星電子和SK海力士也提高了2024年的產能目標。三星電子計畫將DRAM和NAND快閃記憶體的產量增加約24%，而SK海力士的目標是將DRAM產量恢復到2022年底的水平。

從市佔率來看，根據TrendForce發布的數據，就今年第三季營收數據而言，三星在DRAM市場的市佔率約為38.9%，而SK海力士的市佔率為34.3%；在NAND領域，三星電子的市佔率為31.4%，SK海力士為20.2%。

DRAM和NAND市場由於長期供過於求，主要製造商去年起都採取了減產的方式，這種情況直到近期才有所緩解。

業界普遍認為，未來一些與人工智慧相關的應用將需要大容量記憶體支援。例如，根據TrendForce的報告，預計明年全球智慧型手機出貨量將成長3%，這將有助於擴大高價值記憶體市場的需求。

同時，TrendForce指出，最近有關記憶體製造商擴大投資和提高產能的消息主要是受HBM市場需求成長的驅動，而不是所有產品的產能擴張。

不過，在記憶體價格反彈的情況下，兩家韓國企業的大規模投資計劃，還是令部分市場人士感到擔憂。業界認為，提高產能利用率不是瞬間完成的過程，記憶體產業可能面臨新的挑戰。