在第69屆IEEE 在國際電子裝置會議（IEDM）上，國產儲存第一大廠長鑫帶來了一篇淪為，其在技術上有了突破，可以搞定3nm技術晶片。從長鑫發表的論文來看，這是展示了其在環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術上的突破，而它可以用在3nm工藝製程晶片上，而當然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。

由於設備製程管制，長鑫現在還無法生產和製造，但這個論文已經顯示，他們擁有了這個技術實力，而這樣而是國產晶片自主突破的一個縮影。

在這之前，長鑫儲存正式推出LPDDR5系列產品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5晶片及DSC封裝的6GB LPDDR5晶片。

長鑫儲存也是國內首家推出自主研發生產的LPDDR5產品的品牌，實現了國內市場零的突破。

LPDDR5晶片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機記憶體。與上一代LPDDR4X相比，長鑫儲存LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。