中芯國際的製造能力可能不會很快局限於7 奈米工藝，因為一份新的報告指出，這家中國半導體公司正在推進其5 奈米技術。然而，與台積電等使用先進的超紫外光（EUV）設備的製造商相比，中芯國際被迫在其現有的DUV 設備上批量生產這些”尖端”晶圓，這對該公司來說很可能是一項成本高昂的冒險。

中芯國際可能從政府獲得價值數十億美元的補貼，從而成功推進其5 奈米製程；目前尚不清楚預計產量。

華為預計將在明年推出P70、P70 Pro 和P70 Art，因此這家前中國巨頭需要在先進晶片方面保持市場競爭力。儘管麒麟9000S 是一款7nm SoC，但由於美國對華為和中芯國際的製裁，它仍被認為是一項突破性成就。

根據The Elec 報道，一位不願透露姓名的產業人士表示，深紫外線製程(DUV) 的零件供應目前跟不上中國的需求，預計這一特殊市場將進一步擴大。此外，他還提到中芯國際正在準備透過DUV 實現5 奈米工藝，這會使得光掩膜的使用量有望進一步增加。

中國半導體產業發展引發的半導體光掩膜短缺正蔓延到空白掩膜領域。空白掩膜是光掩膜的原料。業內人士認為，這種現象可能會延伸到光掩膜的保護成分–膠粒。

據業內人士6 日透露，國內用於曝光工藝的零件製造商正在經歷繁榮。空白掩膜公司S&S Tech 今年第三季的累計銷售額達到1,009 億韓元。與去年同期相比成長了20.4%。該公司用於曝光製程的零件銷售額也有所成長。今年第三季度，FST 的光罩累計銷售額為700 億韓元，比去年同期成長5.3%。

空白掩膜是光掩膜的原料，最近一直供不應求。它的製作方法是在高純度石英上沉積金屬屏蔽膜和防反射膜，然後塗上感光溶液。光掩膜是通過在其上雕刻半導體電路圖案製成的。

膠層是光掩膜的保護部分。透過塗敷膠層，可以縮短光掩膜的更換週期，進而降低加工成本，提高生產率。

造成日益短缺的原因很複雜。除了中國無晶圓廠公司的數量不斷增加（截至去年已達3243 家）之外，中國光掩膜公司缺乏技術以及採用DUV 的7 奈米製程也是原因之一。

一位業內人士說：”中國掩膜廠生產的產品，品質低於TOPPAN 和DNP，因此我們需要使用更多的空白掩膜和光阻。在採用DUV 的7nm 製程生產中，與EUV 相比需要大量的光掩膜，由於中芯國際正在準備採用DUV 的5nm 工藝，預計光掩膜的使用量會進一步增加。”

業內人士分析，在可預見的未來，這種情況可能會持續下去。這是因為光刻工藝組件的關鍵技術掌握在日本、美國和韓國的公司手中。光阻也是如此。Pellicle 由日本公司信越（Shin-Etsu）、旭（Asahi）和三井（Mitsui）以及韓國公司FST 生產。上個月，FST 宣布投資330 億韓元，擴大膠粒生產能力。

由於美國禁止荷蘭的ASML 等公司向中國供應下一代EUV 機器，中芯國際別無選擇，只能使用DUV 設備繼續5 奈米製程。我們曾報道過，一位前台積電（TSMC）高層表示，華為和中芯國際都有可能製造出5 奈米SoC，但在現有設備下，這將耗費大量時間，產量較低，而且成本高昂。

報告沒有深入探討中芯國際5 奈米製程使用目前DUV 硬體的預期良品率，但我們預期應在30% 至40% 之間。儘管在競爭中落後了幾代，但中國的企業已經證明，他們不需要與美國公司或任何外國公司合作就能推進晶片生產，在整體技術水平上，中芯國際還需要幾年才能趕上上積電和三星的水平。