英特爾代工服務公司（Intel Foundry Services，IFS）今天宣布，其首個利用極紫外線（EUV）微影技術的矽製造節點–英特爾4節點將開始量產。9月29日，英特爾4節點將在該公司位於愛爾蘭萊克斯利普的工廠（Fab 34）開始投產。

該公司執行長Pat Gelsinger、英特爾技術開發總經理Ann Kelleher 博士和全球營運長Keyvan Esfarjani 將出席首批晶圓生產紀念儀式。

英特爾4代是利用EUV技術的先進晶圓代工廠，其電晶體密度和電氣特性可與台積電的5奈米級和4奈米級晶圓代工節點相媲美。

首批製造的晶片包括該公司酷睿”流星湖”處理器的運算晶片，其中包含下一代CPU 核心。與目前的英特爾7節點相比，英特爾4節點的邏輯庫面積擴展了一倍，等效功耗提高了20%，並引入了新型金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器。