Intel發明全新玻璃基板封裝互連密度提升10倍
在製程製程不斷提升的同時,整個半導體產業也持續研究各種先進封裝技術,二者結合打造越來越龐大、強大的晶片。Intel在先進封裝技術方面尤其有著悠久的歷史和豐富的成果,早在20世紀90年代就引領從陶瓷封裝向有機封裝過渡,率先實現無鹵素、無鉛封裝,EMIB、Foveros、Co-EMIB如今都已經投入實用,Foveros Direct、Foveros Omni也已經做好準備了。
現在,Intel宣布率先推出面向下一代先進封裝技術的玻璃基板,並計劃在未來幾年內推出相關產品,可在單一封裝內大幅增加晶體管數量、提高互連密度,使得合作夥伴與代工客戶在未來數十年內受益。
玻璃基板組裝晶片的一側
玻璃基板測試晶片
目前普遍採用的有機基板封裝預計在2020年代末期達到電晶體縮微能力的極限,因為有機材料耗電量比較大,且有縮微、翹曲的限制。
相較之下,玻璃具有獨特的性能,例如超低平面度(也就是極為平整)、更好的熱穩定性和機械穩定性。
使用玻璃材料製成的基板,具有卓越的機械、物理、光學特性,可以在單一封裝中連接更多晶體管,提供更高品質的微縮,並支援打造更大規模的晶片,也就是係統級封裝。
玻璃基板測試單元
Intel CEO基辛格展示玻璃基板測試晶圓
Intel表示,玻璃基板更高的溫度耐受性可使變形減少50%,便於更靈活地設定供電和訊號傳輸規則,例如無縫嵌入光互連、電容、電感等裝置。
同時,玻璃基板極低的平面度可改善光刻的聚焦深度,整體互連密度可望提升多達10倍,還能達到非常高的大型晶片封裝良率。
Intel的目標是到2030年實現單一封裝內整合1兆個晶體管,玻璃基板將是推動此目標落地的強大支援。