香港投資公司海通國際證券（Haitong International Securities）的技術分析師傑夫-普（Jeff Pu）稱，iPhone 16 和iPhone 16 Plus 將配備8GB 內存和採用台積電N3E 工藝製造的A17 仿生芯片。

在一份給投資者的說明中，Pu 指出明年標準iPhone機型的內存將大幅增加，並將改用LPDDR5 內存。自2021 年的iPhone 13 以來，蘋果標準iPhone 機型的內存一直是6GB。iPhone 15 和iPhone 15 Plus 預計將延續這一趨勢。iPhone 15 Pro 和iPhone 15 Pro Max 預計將成為首批配備8GB 內存的iPhone，這意味著A17 仿生芯片和2023 年Pro 機型上的8GB 內存將在一年後逐步應用到標準機型上。

Pu 補充說，iPhone 16 系列中使用的A17 和A18 仿生芯片將採用TMSC 的N3E 工藝製造，該工藝是其增強型3 納米節點。iPhone 15 Pro 和iPhone 15 Pro Max 所使用的A17 Bionic 芯片預計將成為蘋果首款採用3 納米製造工藝製造的芯片，與A14、A15 和A16 芯片所使用的5 納米技術相比，性能和效率將有重大提升。

據報導，iPhone 15 Pro 和iPhone 15 Pro Max 中使用的A17 Bionic 芯片將採用台積電的N3B 工藝製造，但據Pu 稱，蘋果將在明年iPhone 16 和iPhone 16 Plus 中使用該芯片時改用N3E 工藝。

N3B 是台積電與蘋果合作創建的原始3nm 節點。而N3E 則是更簡單、更易接近的節點，大多數其他台積電客戶都將使用它。與N3B 相比，N3E 的EUV 層數更少，晶體管密度更低，因此在效率上有所折衷，但該工藝能提供更好的性能。N3B 也比N3E 更早進入量產階段，但它的良品率要低得多。N3B 實際上是作為試驗節點設計的，與台積電的後續工藝（包括N3P、N3X 和N3S）不兼容，這意味著蘋果需要重新設計未來的芯片，以利用台積電的先進技術。

有趣的是，這與6 月份微博上的一個傳言不謀而合。據說此舉是一項削減成本的措施，可能會以降低效率為代價。當時，人們認為蘋果不太可能對A17 仿生芯片做出如此大的改變。iPhone 14 和iPhone 14 Plus 所採用的A15 Bionic 芯片比iPhone 13 和iPhone 13 mini 所採用的A15 芯片分級更高，多了一個GPU 內核，因此，儘管從外觀上看採用的是相同的芯片，但出現一些跨代差異並非沒有可能，但這實際上是在根本不同的芯片上保留了相同的名稱。

據信，蘋果最初計劃在A16 仿生芯片上使用N3B，但由於沒有及時準備好，不得不改用N4。這可能是蘋果將最初為A16 Bionic 設計的N3B CPU 和GPU 內核設計用於最初的A17 芯片，然後在2024 年晚些時候改用N3E 的原始A17 設計。