EUV光刻技術的推進相當困難，光刻機龍頭ASML也是舉步維艱，一點點改進。ASML宣布，將在今年底發貨第一台支持高NA(數值孔徑)的EUV極紫外光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”。

NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的工藝節點。

ASML現有最先進的EUV光刻機是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，對應的分辨率為13nm，可以生產金屬間距在38-33nm之間的芯片。

但是，金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的工藝節點超越5nm，這樣的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，不但會大大增加成本，還會降低良品率。

因此，更高的NA成為必需，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也將縮小到8nm。

EXE:5000有點像是實驗平台，供芯片製造廠學習如何使用高NA EUV技術，而預計2025年發貨的下一代EXE:5200，才能支持大規模量產。

Intel最初計劃在其18A(1.8nm)工藝節點使用ASML的高NA EUV光刻機，2025年量產，但後來提前到了2024年下半年，等不及ASML的新機器。

於是，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，疊加雙重曝光來實現18A工藝，同時使用應用材料的Endura Sculpta的曝光成形系統來盡可能減少雙重曝光的使用。

儘管如此，Intel依然會是高NA EUV光刻機的第一家客戶，可能會在18A節點的後期引入它。

台積電、三星都計劃在2025年晚些時候投產2nm工藝，或許也會用上高NA EUV光刻機。

至於這種先進光刻機的價格，沒有官方數據，不同報告估計在單台成本就要3-4億美元，相當於人民幣22-29億元。