三星發布了全球首款基於12 納米製程技術的32 Gb DDR5 DRAM 解決方案，可支持高達128 GB 的內存模塊。迄今為止，SK hynix 和美光等內存製造商提供了24 Gb 的DDR5 DRAM，可實現96 GB 的內存解決方案，而三星則更上一層樓，推出了基於12nm 節點、密度高出33.3% 的32 Gb 解決方案。與此同時，美光也確認了32Gb DDR5 DRAM，但迄今為止只是通過其路線圖公佈。

三星電子今天宣布，該公司採用12 納米(nm) 級工藝技術，開發出業界首款容量最高的32 千兆位(Gb) DDR5 DRAM。此前，三星已於2023 年5 月開始量產其12 納米級16Gb DDR5 DRAM。它鞏固了三星在下一代DRAM 技術領域的領先地位，並預示著大容量內存產品陣容將翻開新的篇章。

三星電子DRAM 產品與技術執行副總裁SangJoon Hwang 表示：”憑藉我們的12nm 級32Gb DRAM，我們已經獲得了可實現高達1 TB 的DRAM 模塊的解決方案，使我們能夠在人工智能（AI）和大數據時代滿足對大容量DRAM 不斷增長的需求。我們將繼續通過差異化的工藝和設計技術開發DRAM 解決方案，打破內存技術的界限。”

自1983 年開發出第一款64 千位（Kb）DRAM 以來，三星在過去40 年間成功地將DRAM 容量提高了50 萬倍。

三星最新開發的內存產品採用尖端工藝和技術，提高了集成密度並優化了設計，擁有業界最高的單個DRAM 芯片容量，在相同封裝尺寸下，其容量是16Gb DDR5 DRAM 的兩倍。

以前，使用16Gb DRAM 製造的DDR5 128GB DRAM 模塊需要採用矽通孔(TSV) 工藝。然而，通過使用三星的32Gb DRAM，現在可以在不使用TSV 工藝的情況下生產128GB 模塊，與使用16Gb DRAM 的128GB 模塊相比，功耗降低了約10%。這一技術突破使該產品可以成為數據中心等注重能效的企業的解決方案。

以12nm 級32Gb DDR5 DRAM 為基礎，三星計劃繼續擴大其大容量DRAM 產品線，通過向數據中心以及需要人工智能和下一代計算等應用的客戶供應12 納米級32Gb DRAM，該產品還將在三星與其他關鍵行業參與者的持續合作中發揮作用。

全新12nm 級32Gb DDR5 DRAM 計劃於今年年底開始量產。