Intel自曝3nm工藝良率、性能堪稱完美
Intel將在下半年發布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4製造工藝,也就是之前的7nm,但是Intel認為它能達到4nm級別的水平,所以改了名字。再下一步就是Intel 3,也就是早先的5nm,號稱能效可提升18%。
Intel CEO帕特·基辛格近日披露,Intel 3工藝在今年第二季度就達成了缺陷密度、性能的里程碑,將如期達到良率、性能的整體目標,明年上半年首先應用於Sierra Forest(首次純小核設計),緊接著很快就會用於Granite Rapids(純大核)。
Sierra Forest、Granite Rapids應該都會劃入第六代可擴展至強序列,而今年底還有個第五代的Emerald Rapids,製造工藝和現在的第四代Sapphire Rapids一樣都是Intel 7。
Intel 3工藝似乎不會用於消費級產品,至少目前沒看到相關規劃,它更多針對數據中心產品優化。
多次曝光的Granite Rapids
再往後的Arrow Lake,將會首次引入Intel 20A工藝,也就是相當於2nm級別。
基辛格表示,Intel 20A工藝將第一次使用RibbonFET、PowerVia技術,大規模用於消費級產品,目前正在晶圓廠內進行第一步。
就在不久前,Intel宣布,率先在代號為“Blue Sky Creek”產品級測試芯片上實現了背面供電技術。
該技術能顯著提高芯片的使用效率,同時晶體管體積大大縮小,單元密度大大增加,因此能顯著降低成本,還將平台電壓降低了30%,並帶來了6%的頻率增益。