新技術推動內存市場復甦美光要失勢了?
新技術,HBM和128GB DDR5,將推動內存市場的複蘇。美光在HBM(高帶寬內存)市場的份額僅為10%。美光尚未生產出128GB DDR5芯片。SK海力士壟斷了大容量內存市場的兩個領域。韓國DRAM製造商SK海力士和三星電子(OTCPK:SSNLF)新的第二季度初步數據顯示,他們在內存恢復方面領先於美國美光科技(NASDAQ:MU)。
我認為包括ChatGPT在內的生成AI(人工智能)的興起及其對高帶寬內存(“HBM”)的需求一直是DRAM增長的催化劑。我能夠收集到的新數據是,2023 年HBM 市場份額在SK 海力士和三星之間平分秋色,佔45%,美光佔10%。
SK 海力士目前專門為英偉達提供HBM3,用於H100 Tensor Core GPU。
三星HBM產品進入超級計算機,如英特爾的Aurora Project和美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室的AMD的El Capitan以及AMD的MI300 AI超級芯片。
根據相關報告分析,該分析師預測HBM芯片的銷量將在2023年同比增長40%,在2024年同比增長5%,導致市場好轉期間利潤急劇增長。
HBM 需要復雜的生產工藝和高度先進的技術。HBM的平均售價(ASP)至少是DRAM的三倍。
下圖顯示了美光2023 財年第三季度的DRAM 收入。SK海力士報告第二季度DRAM初步收入為58%,而三星僅為3%,美光為0%。SK海力士和三星的收入上升表明,客戶已經大大減少了庫存積壓,並開始再次購買芯片,儘管價格很低。
影響SK海力士強勁收入增長的另一個因素是128GB DDR5芯片的較高平均售價,該公司已經能夠限制平均售價的下降,如圖2所示。SK海力士以預估90%的收益率主導市場。
DDR5的性能是目前廣泛使用的DDR4 DRAM的兩倍,是目前領先的服務器DRAM,也是內存半導體製造商的最大收入來源。估計到2023年底,DDR5 將佔服務器內存需求的30%。
因此,雖然DDR4 DIMM(雙列直插式內存模塊)的容量最高可達64GB(使用SDP),但基於DDR5 SDP的DIMM是其四倍,達到256GB。
DRAM市場的增長不平衡,因為HBM和DDR5的技術優勢促進了服務器市場的複蘇,該領域需要最大的內存量。
這種複蘇得益於英特爾(INTC),英特爾是服務器中央處理器(CPU)市場的主導頭號玩家,該公司推出了支持DDR5 DRAM的Sapphire Rapids CPU。當然還有英偉達(NVDA),它在服務器AI GPU市場的主導地位。
美光在AI/HBM業務方面進展甚微,計劃於3年初開始量產HBM2024。根據EETimes:
“SK 海力士開發了MR-MUF 技術,並將其應用於HBM 產品。該技術提高了HBM 超過100,000 個微凸塊互連的質量。此外,與競爭對手相比,這種封裝技術充分增加了凸塊的數量,同時在散熱方面表現出色,因為它採用了具有高導熱性的模製底部填充(MUF)材料。
MR-MUF是指在堆疊芯片時,將半導體芯片連接到電路上,並用稱為“液體EMC”(環氧模塑料)的材料填充芯片和凸塊間隙之間的空間的過程。到目前為止,NCF技術已被用於這一過程。
NCF是一種通過在芯片之間使用一種薄膜來堆疊芯片的方法。與NCF相比,MR-MUF方法的導熱係數約為其兩倍,並且會影響工藝速度和產量。
MR-MUF 封裝對HBM 芯片的外部結構有重大影響。SK 海力士在創建50 層HBM3 時,將一個產品中堆疊的DRAM 數量從8(16GB)增加到12,從而將容量提高了約3%。
對於DDR5,雖然SK海力士是唯一一家全面生產128GB芯片的公司,三星剛剛開始生產,但MU剛剛推出了96GB芯片。
總體而言,內存衰退可能正在達到最低點,上升將在2023年下半年開始。
另一個肯定來自ASML最近關於內存公司收入的財報電話會議。ASML (ASML) 報告稱,內存收入佔總收入的比例從2023 年第一季度的30% 下降到2023 年第二季度的16%。
內存預訂量有所改善,為1.4B歐元,上一季度為7.88億歐元(+77%環比)和去年同期為3.38億歐元(同比-59%)。
該分析師重申對美光科技的賣出評級。
作者 | Robert Castellano
編譯丨華爾街大事件