長江存儲已經將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達2400MT/s，妥妥的世界第一，結果被美國一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會坐以待斃。據報導，長江存儲正在研發一種神秘的新型閃存，雖然很無奈，但也頗有“移花接木”的奇妙之處。

這種新閃存一方面只有128層，很可能是上一代晶棧Xtacking 2.0架構，但是接口速度是最快的2400MT/s，也就是容量小一些，但性能會比較高，只是具體指標暫時不詳。

之所以能這麼做，還要感謝長江存儲獨特的晶棧架構。

它使用了雙晶圓鍵合方式，兩片獨立的晶圓分別加工存儲單元和外圍電路，更換後者就可以實現這種低密度、高速度閃存。

其實有說法稱，長江存儲的232層閃存，並不是一次性堆疊出來的，而是128層、125層兩次堆疊再合體，去掉一定冗餘，最終得到232層。

這也意味著，哪怕再做128層，也不會導致現有的技術浪費。

只是，由於事件的特殊性，這種新型閃存大概率永遠無法得到官方確認。

另外有說法稱，長江存儲的512Gb閃存芯片在5月份從1.35美元漲價到1.4美元，然後又一路漲到1.5美元、1.6美元，停不下來的節奏。

外媒稱，長江存儲的底氣來自政府補貼，以及美光採購受限後在關鍵領域留下的空白，但這種說法一看就挺酸的。