隨著摩爾定律的放緩，傳統的矽基芯片在10nm之後越來越難以製造，業界一直在尋找新的材料和技術，美國賓夕法尼亞大學的團隊日前宣布研發出了新的鐵電晶體管芯片，厚度最低可以做到0.7nm。

鐵電場效應晶體管（FE-FETs）跟傳統的晶體管不同，這種材料具有非易失性，也就是斷電之後數據不會清空，具有存儲密度高、速度快、能耗低等多種優勢，是下一代芯片結構的重要研究方向之一。

這次的研究是賓夕法尼亞大學工程與應用科學學院的電氣與系統工程系（ESE）副教授Deep Jariwala和他實驗室的博士候選人Kwan-Ho Kim設計完成的，論文也發表在了《自然納米技術》雜誌上。

他們開發的晶體管結構是在鐵電材料氮化鋁鈧（AlScN）上覆蓋了二硫化鉬（MoS2），後者是一種二維半導體，該研究首次將這兩種材料結合在一起，並且在計算及存儲兩方面都展示出了優勢。

其中AlScN材料厚度為20nm，MoS2更是只有0.7nm，本以為不能承受前者註入的電荷量，最終實驗取得了成功，證明了這兩者結合之後可以良好運行，不僅可以可靠地存儲數據，而且性能更好，還更節能。

不過這項研究距離真正商用化還有距離，團隊下一步工作就是進一步小型化晶體管結構。