閃存芯片的進化方向非常明確，那就是通過更多層地堆疊來實現更快的讀寫速度，同時提高單位面積的存儲容量，降低存儲成本。在ISSCC 2023期間，35名SK海力士工程師聯名提交了論文，詳細闡述了他們是如何攻克300+堆疊的難關。

通過運用TPGM（三重驗證編程）、AUSP（自適應未選串預給電）、PDS（被編程假字符串）、APR以及PLRR（平面級讀取重試）等五項技術，他們實現了超過300層的TLC顆粒堆疊。

這顆1Tb容量的TLC 3D閃存（3bit/Cell）達到了驚人的20Gb/mm2容量密度，寫入速度更是狂飆到194MB/s創紀錄。

按計劃，SK海力士的300+層TLC將在2024年量產商用。