如今的內存市場上，不僅面臨著價格下滑的壓力，同時技術發展也遇到了瓶頸，在20nm節點之後發展速度已經慢下來了，三星在14nm節點就用上了EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。

然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變內存芯片的技術難題，三星已經做到了12nm工藝，再往後的內存工藝很難說，核心原因還是傳統的2D DRAM內存技術快到極限了，就跟CPU邏輯工藝情況類似。

後面怎麼辦？作為內存一哥，三星也早就在準備新的技術了，那就是3D DRAM，類似閃存從2D到3D的轉變一樣，通過3D堆棧來進一步提高內存的存儲密度。

在這個新技術上，壟斷了全球75%內存產能的三星、SK海力士及美光三家公司都在積極研發，其中三星早在2021年就宣布組建全新的團隊攻關新一代內存技術。

SK海力士也有類似的計劃，而且他們計劃在明年公佈3D DRAM技術的進展，這個領域目前還沒有哪家公司是絕對的領先，因此搶先公佈可以贏得更多機會。

不過3D DRAM內存現在還在研發階段，距離真正量產還要很久，至少三四年後才會有產品問世。