十多年前，惠普公司將電阻式RAM技術（也被稱為ReRAM或RRAM）帶到了公眾面前，該技術在很大程度上被業界忽視了。為數不多的商業實施方案未能達到預期，但一家英國初創公司在成功開展籌資活動後，現在正計劃再次嘗試。

Intrinsic Semiconductor Technologies是一家英國初創公司，由倫敦大學學院（UCL）的研究人員於2017年成立。該公司正在研究一種新的ReRAM技術，它現在已經收集了足夠的資金，以將非易失性RAM的失敗承諾轉化為創新、單芯片計算解決方案的適當商機。

ReRAM是憶阻器技術的商業實現，它在1971年被描述為理論上僅次於電阻、電容和電感的四種基本電氣元件的”缺失環節”。一個”記憶系統”是一個具有記憶能力的電阻器，因為它可以在施加電流時改變電阻，並且可以在切斷電源時記住其狀態。

在理論上，ReRAM芯片可以提供快速的數據存儲能力，同時具有低能量需求。惠普公司在十多年前曾試圖建立基於記憶體的商業上可行的解決方案，但該公司最終失敗了。像3D XPoint這樣的競爭性RRAM技術也是曇花一現，承諾的性能水平很高，但在早期的商業預期中卻沒有兌現。

Intrinsic公司表示，其新實現的ReRAM技術幾乎解決了早期記憶性解決方案的所有問題。該公司在由Octopus Ventures和其他投資者領導的一輪融資中獲得了700萬英鎊（850萬美元），另外還有英國政府的創新機構（Innovate UK）授予的100萬英鎊。

在UCL對記憶體的十多年研究的基礎上，Intrinsic的ReRAM技術似乎比以前的解決方案更好，因為它可以用二氧化矽等標準半導體材料製造。Intrinsic公司的ReRAM是CMOS投訴，對製造公司來說應該更具成本效益，它們可以使用現有機器來製造ReRAM內存芯片。

這家英國公司還說，它的ReRAM解決方案更容易與CPU中常見的邏輯電路集成，而傳統的閃存則不能提供同樣的集成便利。據Intrinsic首席執行官Mark Dickinson稱，新的RRAM技術有可能”成為下一代邊緣和物聯網計算機的骨幹”，就在”數據飢渴的智能應用”變得越來越普遍的時候。