英特爾描繪了到2030年實現萬億級晶體管芯片設計的路線圖
英特爾向今年的國際電子器件會議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強調了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計劃。這些新信息支持了首席執行官Pat Gelsinger之前關於英特爾即將進行的微架構設計創新的聲明。據英特爾的Gary Patton稱,新的進展將在可預見的未來保持摩爾定律的活力。
今年早些時候,NVIDIA的黃仁勳在4000系列發布會的問答環節中再次宣布摩爾定律已死。這一預測與他在2017年北京GPU技術大會上的類似聲明相呼應。
該公司提交的2023年IEDM研究報告強調了幾種工藝、材料和技術,可以幫助這家半導體巨頭支持他們之前關於到2030年交付基於芯片的萬億晶體管處理器。
英特爾的新晶體管和封裝技術研究主要集中在推進CPU的性能和效率,縮小傳統單片處理器和基於芯片的新設計之間的距離。提交的材料中提出的一些概念包括:大大減少小芯片之間的間隙以提高性能,即使在失去電源後也能保持其狀態的非易失性晶體管,以及新的可堆疊存儲器解決方案。
英特爾副總裁兼元件研究(CR)和設計啟用部總經理加里·巴頓說:”自晶體管發明以來的75年裡,推動摩爾定律的創新繼續解決世界上成倍增長的計算需求。在IEDM 2022上,英特爾正在展示突破當前和未來的障礙所需的前瞻性思維和具體的研究進展,滿足這種永不滿足的需求,並在未來幾年保持摩爾定律的活力。”
CR小組的研究已經確定了新的工藝和材料,對推動公司接近其萬億晶體管的里程碑至關重要。該公司最新的混合鍵合研究顯示,與前一年的報告相比有10倍的改進。英特爾提交的材料所展示的其他研究包括使用厚度不超過三個原子的新型材料的設計,可以垂直放置在晶體管上方的存儲器,以及對可能對量子數據存儲和檢索產生負面影響的接口缺陷的更多了解。
英特爾的元件研究小組是公司內部開發新的和突破性技術的領導者。部件研究組的工程師們發明和開發新的材料和方法,支持半導體製造商在持續的戰鬥中把技術縮小到原子尺度。該小組負責英特爾的極紫外光刻(EUV)技術,該技術對於英特爾繼續縮小節點尺寸同時提高整體半導體能力是不可或缺的。該小組的工作和時間表通常比商業上可用的技術領先5到10年。