三星3nm GAA良品率被曝低至20% 旨在通過與美國公司合作提高產量
在生產尖端3納米GAA芯片的競賽中,三星在技術上可能已經領先了台積電,但這並不意味著該公司的生產進展足夠順利。根據最新的報告,這家韓國製造商正經歷著可怕的良品率,低到只有20%,公司正打算通過與一家美國公司的最新合作將這一數字提高到可以接受的程度。
據稱美國公司Silicon Frontline Technology可以運用成熟的方法,幫助三星提高其3納米GAA的良品率。
之前三星電子的4納米架構的一系列問題迫使高通轉向台積電,導致其訂單流失。現在,據《商業時報》報導,與5納米工藝相比,本應帶來巨大改進的3納米GAA節點也在經歷著同樣的挫折。
為了克服眾多障礙,據說三星已經與美國的Silicon Frontline Technology公司合作,以提高其3納米GAA的良率。至於為什麼Silicon Frontline Technology似乎是理想的合作夥伴,據說該公司已經採用了水法鑑定和防止靜電放電技術來提高晶圓產量的方法。
據報導,靜電放電,即ESD是造成晶圓缺陷的主要原因,這可以解釋三星3納米GAA架構的低產量。到目前為止,這家韓國巨頭通過採用其合作夥伴使用的技術,正在見證積極的成果,但實際的好處將在未來幾個月看到,屆時多個客戶要么排隊體驗這種尖端的製造工藝,要么堅持使用台積電。
目前,三星沒有完成智能手機製造商的訂單,早些時候有報導稱,三星將向加密貨幣礦工運送最初一批產品。除此之外,它還有可能重新與高通公司建立合作關係,因為後者很可能在未來的芯片組中使用與台積電的雙重採購方式。然而,如果三星繼續看到其3納米GAA芯片的低收益率,那麼許多客戶可能會對該公司的訂單望而卻步。