正如在2022年閃存峰會和2022年三星存儲器技術日上所承諾的那樣，三星電子今天宣布，它已經開始大規模生產具有業界最高比特密度的1Tb三層單元（TLC）第八代垂直NAND（V-NAND）。新的V-NAND顆粒的單位容量為1Tb，是迄今為止業內最高的存儲容量，可在全球下一代企業服務器系統中實現更大的存儲空間。

三星電子閃存產品與技術執行副總裁SungHoi Hur說：”由於市場對密度更大、容量更大的存儲的需求推動了更高的V-NAND層數，三星採用了先進的3D縮放技術來減少表面積和高度，同時避免了通常在縮小規模時出現的單元間干擾。我們的第八代V-NAND將有助於滿足快速增長的市場需求，並使我們能夠更好地提供更多差異化的產品和解決方案，這將是未來存儲創新的基礎。”

三星通過大幅提高每片晶圓的比特生產率，實現了業界最高的容量密度。基於Toggle DDR 5.0接口這一最新的NAND閃存標準，三星第八代V-NAND的輸入和輸出（I/O）速度可高達2.4千兆比特/秒（Gbps），比上一代產品提高了1.2倍。這將使新的V-NAND能夠滿足PCIe 4.0以及後來的PCIe 5.0的性能要求。

第八代V-NAND有望成為存儲配置的基石，幫助擴大下一代企業服務器的存儲容量，同時將其應用擴展到對可靠性特別要求的汽車市場。