台積電剛剛在2022 技術研討會期間披露了N2 工藝的一些技術細節，預計可在2025 年的某個時候投入2nm 級全柵場效應晶體管（GAAFET）的生產。屆時新節點將使得芯片設計人員能夠顯著降低其芯片功耗，但頻率和晶體管密度的改進似乎不太明顯。

作為一個全新的平台，台積電N2 節點將結合GAAFET 納米片晶體管和背面供電工藝、並運用廣泛的極紫外光刻（EUV）技術。

● 新型環柵晶體管（GAAFET）結構具有廣為人知的諸多優勢，比如極大地改善漏電（當前柵極圍繞溝道的所有四條邊），並可通過調節溝道寬度以提升性能、或降低芯片功耗。

● 至於背面供電，其能夠為晶體管帶來更好的能量輸送（提升性能/ 降低功耗），是應對BEOL 後端電阻增加問題的一個出色解決方案。

（截圖via AnandTech）

功能特性方面，台積電N2 看起來也是一項非常有前途的技術。官方宣稱可讓芯片設計人員在相同功率/ 晶體管數量下，將性能提升10~15% 。

或在相同頻率/ 複雜度下，將功耗降低25~30% 。同時與N3E 節點相比，N2 節點可讓芯片密度增加1.1 倍以上。

不過需要指出的是，台積電公佈的“芯片密度”參數，綜合考慮了50% 的邏輯、30% 的SRAM、以及20% 的模擬組件。

遺憾的是，N2 相較於N3E 的芯片密度提升（反映晶體管密度的增益）僅為10% 。不過從N3 到N3E 的演進來看，那時的晶體管密度提升就已經不太鼓舞人心了。

換言之，現如今的SRAM 和模擬電路已經遇到了發展瓶頸。對於GPU 等嚴重依賴晶體管數量快速增長的應用場景來說，三年大約10% 的密度提升，也絕對不是個好消息。

此外在N2 投產的同時，台積電也會同時擁有密度優化的N3S 節點。看到這家代工巨頭在兩種不同類型的工藝上齊頭並進，這樣的情景也是相當罕見的。

如果一切順利，台積電有望於2024 下半年開啟N2 工藝的風險試產，並於2025 下半年投入商用芯片的量產。

然後考慮到半導體的生產週期，預計首批搭載N2 芯片的終端設備，要到2025 年末、甚至2026 年才會上市。