SK海力士宣布向英偉達提供業內首批HBM3 DRAM
SK 海力士剛剛宣布,其已開始量產業內性能領先的HBM3 DRAM 存儲器。去年10 月,該公司率先發布了HBM3 開發公告。七個月後,SK 海力士再次傳達了鞏固其在高端DRAM 市場的領導地位的想法。
隨著人工智能和大數據等尖端技術的加速發展,全球主要科技公司也在積極尋求應對快速增長的數據量的方法。
与传统动态随机存储器(DRAM)相比,高带宽缓存(HBM)在数据处理的速度和性能方面都具有显著的竞争力。
從誕生之初,它就引起了行業內的廣泛關注,且近年得到了越來越多的採用。
以英偉達為例,這家GPU 巨頭於近期完成了對SK 海力士HBM3 樣品的性能評估,預計相關產品可於今年3 季度開始出貨。
為滿足客戶需求,SK 海力士將遵循英偉達的新品發佈時間表。在上半年擴大了HBM3 的量產後,備受期待的NVIDIA H100,也將為全球客戶帶來業內領先的高性能加速器系統。
規格方面,SK 海力士的HBM3 有望大幅提升加速計算應用的性能表現—— 可提供高達819 GB/s 的緩存帶寬,相當於每秒傳輸163 部@ 5GB 的全高清(FHD)電影。
SK 海力士總裁兼首席營銷官Kevin(Jongwon)Noh 表示,該公司正通過與NVIDIA 的密切合作,以爭取在高端DRAM 市場獲得一流的競爭力。
而他們的終極目標,就是成為一家通過持續開放合作,深入理解並滿足客戶需求的解決方案提供商。