根據美光在Computex 大會上的演講，三家設在台中的工廠之一將在今年晚些時候升級EUV 光刻技術，從而為DRAM 升級到1-gamma 工藝節點做準備。1-gamma 在上線初期只是研發節點，以幫助該公司為更廣泛地推廣EUV 技術做準備。

目前美光的DRAM 主要是基於1-alpha 節點，而公司希望明年在中國台灣的工廠將1-beta 節點轉為批量生產。美光目前的1-alpha 節點是基於DUV 技術的，並在去年推出，該公司聲稱其內存密度比之前的1Z 節點提高了40%。

美光公司不再提及其常用的納米測量法的芯片尺寸，但據說其1Z 節點約為11至13納米，因此，如果其1-alpha 節點尚未低於10 納米，那麼1-beta 節點最終很可能會低於10 納米。

美光的長期路線圖還包括1-delta節點，這本來是它的第一個EUV產品，但現在似乎已經提前到了1-gamma節點。美光很可能會在適當的時候將其其他工廠轉移到EUV，但到目前為止，與大多數其他類型的集成電路相比，DRAM還沒有從節點收縮中受益，所以EUV 可能帶來的收益讓我們拭目以待。