西數、鎧俠優化閃存性能:QLC編程速度提升至60MB/s
由於SSD硬盤容量不斷增大,NAND閃存也從之前的SLC、MLC逐漸轉向TLC、QLC,特別是QLC近年來是低端SSD繞不過去的選擇,它為人詬病的一個地方就是性能太慢,現在西數及鎧俠也新一代BiCS6閃存上優化了QLC性能,提升了5倍。
QLC閃存不被大家喜歡主要是兩個原因,一個是可靠性較差,另一個就是寫入性能很弱雞,這都是QLC閃存的特性決定的,畢竟cell單元內要控制4bit數據,編程寫入的時候比其他閃存要復雜很多,所以錯誤率高,速度慢。
大家也見過QLC閃存的硬盤性能,雖然廠商給出的寫入速度超過1GB/s甚至2GB/s,但那都是靠著SLC緩存及全盤緩存、DRAM緩存之類的技術提升的,QLC原始寫入速度非常低,緩存外性能比HDD硬盤都要差,超過100MB/s的幾乎沒有。
西數及鎧俠目前的主力閃存BiCS5這一代中沒有QLC閃存類型,下一代的BiCS6閃存中會重新推出QLC閃存,並進行了大量性能優化,不僅核心面積低於其他廠商,而且編程速度(也就是寫入速度)提升到了60MB/s。
這是什麼概念?雖然看起來還不高,但是上上代的BiCS4閃存中QLC編程速度只有9.7MB/s,當前QLC閃存中編程速度最快的還是Intel的144層QLC閃存,速度40MB/s,其他廠商的多在30MB/s以內。
簡單來說,西數、鎧俠的BiCS6閃存中QLC速度比之前提升了5倍,比友商最快的QLC也提升了50%的性能,足以大幅改善QLC閃存SSD硬盤的寫入性能,具體要等成品再來看。