近日，在首席科學家楊德仁院士的帶領下，浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院發明了全新的熔體法技術路線來研製氧化鎵體塊單晶以及晶圓，目前已經成功製備直徑2英寸（50.8 mm）的氧化鎵晶圓。

浙大杭州科創中心消息顯示，使用新技術路線生長的氧化鎵晶圓有兩個顯著優勢，一是使用這種方法生長出的氧化鎵晶圓的晶面具有特異性，使得製作的功率器件具有較好的性能；二是由於採用了熔體法新路線，減少了貴金屬銥的使用，使得氧化鎵生長過程不僅更簡單可控，成本也更低，具有更大的產業化前景。

此外，該團隊計劃在2年內製造出直徑4英寸級別的大尺寸氧化鎵晶圓，進一步助力國內氧化鎵材料的產業發展。（校對/Vinson）