碳化矽（SiC）作為第三代半導體材料，在功率半導體等領域具有巨大應用潛力，但長期以來面臨大尺寸晶體製備的工藝難題，碳化矽單晶襯底在器件成本中佔比也高達近50%。

近期，中科院物理研究所科研人員通過優化生長工藝，改善晶體結晶質量，成功製備單一4H晶型的8英寸碳化矽（SiC）晶體，並加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片，實現了國產大尺寸碳化矽單晶襯底的突破。

中科院方面表示，該成果轉化後，將有助於增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力。