根據Intel的芯片工藝路線圖，到2025年之前他們要在短短4年內掌握5代CPU工藝，其中有2代還是首次進入埃米級工藝，今年下半年將要量產Intel 4工藝，也就是對標友商的”4nm“工藝，也是Intel首款使用EUV光刻機的工藝。

目前台積電、三星已經量產了4nm工藝，不過Intel自家的”4nm“工藝還是有不少特色的，特別是在性能方面，其他兩家主要生產低功耗芯片，Intel則是要生產高性能處理器，包括桌面及服務器級別的。

Intel的這個”4nm“工藝比目前的Intel （也就是沒改名前的第二代10nm工藝）工藝每瓦性能提升20%，如果是對比之前的初代10nm工藝，那麼性能提升超過35%。

其他方面，Intel ”4nm“工藝的晶體管密度相比Intel 7工藝提升100%，HP高性能庫密度可達1.6億晶體管/mm2，高於台積電5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近台積電未來的3nm工藝的2.08億晶體管/mm2水平了。

目前Intel 7工藝量產的12代酷睿及下半年的13代酷睿頻率可以做到5.5GHz了，假設性能也只是提升20%，那極限頻率應該可以突破6GHz了，史無前例的水平，不知道Intel會不會這麼做。

Intel 4工藝會在明年的14代酷睿Meteor Lake上首發，後者也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封裝的處理器，主要有三個部分封裝在一起，一是計算模塊，二是GPU模塊，多達96-192個計算單元，三是SoC-LP，應該是包含內存控制器、PCIe控制器等輸入輸出部分。