三星首次推出全新UFS 4.0閃存讀速達到4200MB/s或UFS 3.1的兩倍
三星今天公佈了最新的移動存儲解決方案標準- 通用閃存(UFS)4.0。新的UFS 4.0規范承諾將移動閃存媒體存儲的性能提高一個檔次,將讀取速度提高到4200MB/s,或基本上是目前可用的UFS 3.1標準的兩倍。同時,寫入速度從1200MB/s提高到2800MB/s,三星說它的實際表現會是上一代的1.6倍。
需要注意的是,這裡所指的讀和寫的性能數字都是針對順序傳輸的,所以隨機讀和寫的速度可能會更慢。
三星能夠實現這一巨大的速度提升,要歸功於UFS 4.0的每秒23.2Gbps的通道傳輸率與第七代V-NAND(垂直NAND)閃存技術的搭配,該技術由高達176層組成。而在容量方面,三星表示,UFS 4.0將有高達1TB的版本。
有趣的是,UFS 3.1也擁有類似的容量,因此有可能當技術進一步成熟時,UFS 4.0可能允許超過1TB的容量。但現在,1TB的超高速內部存儲元件應該足夠了,即使是最昂貴的手機也罕有超過1TB的。
三星同時還表示,UFS 4.0比UFS 3.1省電46%,因為它能夠提供每毫安培(mA)6.0 MB/s的連續讀取速度,這是目前移動設備當中表現最好的,所有這些存儲空間、性能和電源效率的優勢都將封裝在一個僅有11毫米x13毫米x1毫米的緊湊尺寸內。
在可用性方面,UFS 4.0的大規模生產計劃在2022年第三季度進行,這意味著我們可能會在2022年底或2023年初開始看到採用這一標準的手機。