電子元件工業聯合會（JEDEC）剛剛正式發布了HBM3 高帶寬內存標準，可知其較現有的HBM2 和HBM2e 標準再次迎來了巨大的提升。JEDEC 官方新聞稿寫道，JESD238 為新一代HBM3 動態隨機存儲器指定了發展方向。除了6.4 Gb/s 速率@ 819 GB/s 的帶寬，它還支持16-Hi 堆棧@ 64GB 容量。

（來自：JEDEC 官網）

據悉，HBM3 運用了創新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗、以及更密集的單位容量，能夠極大推動圖形處理、高性能計算和服務器等領域的使用體驗。

以下是HBM3 的主要特點：

● 在經過驗證的HBM2 架構的基礎上進一步擴展帶寬，將每個引腳的速率提升一倍（定義6.4 GB/s），以實現819 GB/s 的高帶寬。

● 將獨立通道數從HBM2 時代的8 個提升至16 個，且每個通道都有兩組“偽通道”（Pseudo Channels），意味HBM3 可虛擬支持32 通道。

● 支持4-Hi、8-Hi、12-Hi 的矽通孔（TSV）堆棧，並為將來的16-Hi 方案實現做好了準備。

● 支持每層8~32 Gb 的容量密度，可輕鬆支持4GB（8Gb 4-Hi）到64GB（32Gb 16-Hi）設備密度，預計初代產品將基於16Gb 存儲層。

● 為滿足市場對高平台層級的可靠性、可用性與可維護性（簡稱RAS）需求，HBM3 還一如了強大的、基於符號的片上ECC，以及實時錯誤報告和透明度。

● 通過在主機接口端使用低擺幅（0.4V）信號和較低的工作電壓（1.1V），來進一步提升能效表現。

截圖（via WCCFTech）

英偉達技術營銷總監兼HBM 小組委員會主席Barry Wagner 表示：

憑藉增強的性能與可靠屬性，HBM3 將為需要巨大帶寬和容量的新應用提供有力的支撐。

美光高性能內存與網絡事業部副總裁兼總經理Mark Montierth 則稱：

HBM3 將使行業攀上更高的性能巔峰，提升可靠性並降低能耗。

美光將憑藉先進內存堆疊和封裝方面的資深經驗，來引領後續的計算平台市場。

SK 海力士DRAM 產品企劃副總裁Uksong Kang 補充道：

隨著HPC 與AI 應用的不斷進步，對更高性能和能效的需求增長，也較以往進一步加速。

隨著JEDEC HBM3 標準的正式頒布，SK 海力士期待著通過增強型ECC 方案，為客戶提供兼具高性能、最佳能效和更高穩定性的DRAM 產品。

SK 海力士很高興能夠與行業合作夥伴攜手共建強大的HBM 生態系統，最終為我們的客戶提供TSG 和TCO 方面的更高價值。

Synopsys IP 與戰略營銷副總裁John Koeter 亦表示：

十多年來，Synopsys 一直是JEDEC 的積極貢獻者，幫助推動了HBM3、DDR5、LPDDR5 等先進內存接口在一系列新興應用中的開發和採用。Synopsys 的HBM3 IP 和驗證解決方案，已被公司客戶率先採用。通過加速新接口與高性能SoC 的集成，還有助於具有高內存帶寬和能效的多芯片系統級封裝的設計與研發。