來自英國蘭卡斯特大學物理和工程系的科學家們發表了一篇論文，詳細介紹了在UltraRAM大規模生產方面取得的突破。由於其極具吸引力的品質，研究人員已經對這種新型存儲器類型進行了幾年的思考，而最新的突破意味著在矽片上進行大規模生產可能指日可待。

UltraRAM被描述為一種存儲器技術，它結合了數據存儲存儲器（如閃存）的非揮發性和工作存儲器（如DRAM）的速度、能源效率和耐用性。重要的是，矽上的UltraRAM可能是通用的存儲器類型，有一天會滿足個人電腦和設備的所有存儲器需求（包括內存和存儲）。

UltraRAM背後的基本科學是，它使用了化合物半導體的獨特屬性，常用於LED、激光器和紅外探測器等光子設備，現在可以在矽上進行大規模生產。研究人員聲稱，在矽上的最新測試比在砷化鎵半導體晶圓上測試的技術更出色。

UltraRAM將提供至少1000年的數據存儲時間，其快速的開關速度和程序擦除循環的耐久性比閃存好100到1000倍。將這些品質加入到類似DRAM的速度、能源效率和耐久性中，這種新型的內存類型聽起來很難被科技公司所忽視。UltraRAM被設想為打破內存和存儲之間的鴻溝。因此，從理論上講，你可以把它作為一個一次性的解決方案來填補這些目前獨立的需求。在PC系統中，這將意味著你會得到一大塊UltraRAM，例如2TB，這將涵蓋你的內存和存儲需求。

看到UltraRAM的部署擴展到從服務器到PC，再到智能設備、遊戲機等，也就不足為奇了。新的內存技術是否會快到足以將專業的快速內存類型擠到一邊，比如當代的GDDR和HBM技術，還有待觀察。UltraRAM的定價可能是另一個棘手的問題。如果它在價格上沒有競爭力，它的潛在採用率和變革力量將受到阻礙。這一經濟因素還有待觀察。