「杭州芯火壹號」HX001晶元發佈，宣告杭州國家「芯火」第一顆晶元——超大視窗阻變隨機記憶體晶元誕生。 該晶元是杭州國家「芯火」雙創平臺共性技術研究的一部分，由杭州國家「芯火」雙創平臺與浙江大學微納電子學院協同開發完成。

圖片來源：杭州國家芯火

據悉，「杭州芯火壹號」HX001晶元的阻變器件選擇插層結構，採用雙層或多層的插層結構來固定導電細絲在電極、插層和阻階層介面處的位置，製備Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結構，來有效地減少阻變器件的阻變參數的離散性。 具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結構的阻變器件不需要Forming操作，從而有效提高憶阻器的視窗，存儲視窗可大於10⁶，並減少了對器件的後端集成。 同時，採用十字交叉陣列將單元面積做到40F²，大大提高了阻變器件的集成密度。

檢測報告顯示：HX001晶元的工作電壓小於5V;所讀取的憶阻器阻值窗口遠大於10⁶;在150°C環境下，分別在1s，30s，100s，300s，1000s， 3000s時加約0.1V小電壓對憶阻器進行數據保持特性測試，憶阻器均能保持電阻阻值穩定;根據模型外推憶阻器所存儲的數據可在150°C環境溫度下保持10年以上;憶阻器單元面積小於40F²。 目前，已申請一項國家發明專利。

杭州國家芯火消息稱，目前”HX001″晶元已經多家單位評測試用，使用者均認為該晶元產品具有較好的存儲特性和可靠性，優於市場同類產品，具有較好的市場應用前景。 （校對/若冰）