西數明年底量產BiCS6快閃記憶體:162層堆疊、介面速度翻倍
2021年快閃記憶體逐漸從96層過渡到了128層為主,再往下就是170層到200層的了,每家快閃記憶體廠商的方案都有所不同,西數將在明年底量產BiCS6代3D快閃記憶體,堆棧層數提升到162,而且介面速度翻倍。 在快閃記憶體市場上,西數跟東芝是合作研發、生產的,BiCS技術其實主要是來自東芝,目前量產的主力是BiCS5,2019年2月份發佈,堆棧層數112層,核心容量512Gbit,介面速度1.066Gbps。
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BiCS6快閃記憶體是下一代產品,堆疊層數最終確定為162層,而非之前所說的170+層,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是介面速度也將達到2.0Gbps,相比上代翻倍,不過距離三星最新的8代V-NAND快閃記憶體的2.4Gbps還有點距離。
根據西數的計劃,BiCS6快閃記憶體將從明年初開始生產,但真正大規模量產要到2022年底了,現在的BiCS5快閃記憶體還要過渡至少一年。