缺芯潮持續，何時緩解仍未有定論。 “5G帶動半導體需求增加，加上地緣政治和疫情驅動恐慌性備貨，晶圓代工產能供不應求的情況依然存在。” 近日，在TrendForce集邦諮詢主辦的MTS2022存儲產業趨勢峰會上，集邦諮詢分析師喬安表示。

TrendForce集邦諮詢預估，在歷經連續兩年的晶元荒後，晶圓代工廠宣佈擴建的產能將陸續在2022年釋放，且新增產能集中在40nm及28nm製程。 不過，由於新增產能的產出時間點落在2022下半年，正值傳統旺季，在供應鏈積極為年底節慶備貨的前提下，產能紓解的現象可能並不明顯。

今年來，中國存儲晶元廠商發展迅速。 中信證券在研報中稱，長江存儲、華虹集團、中芯國際、長鑫存儲等晶圓廠積極擴產，驅動國內半導體設備市場增速兩倍於全球市場。

儘管如此，在全球行業競爭格局上，眼下中國晶元廠商依然難以撼動三星、英特爾等海外企業的市場地位。

中國廠商加速擴產

存儲晶元應用領域廣泛，常見的電子設備基本都需使用存儲晶片，從存儲晶元細分產品來看，DRAM和NAND Flash佔據了存儲晶元95%以上的市場份額。

中國是全球存儲晶片最大市場。 據報導，中國一年3000億美元的晶元進口額中，有超過800億美元為採購記憶體晶元，包括DRAM晶元和NAND Flash晶元。

在國際競爭格局上，存儲晶元長期被韓、日、美等國企業壟斷。 其中在DRAM領域，三星、SK海力士及美光佔據主導地位。

集邦諮詢報告顯示，2021年第三季度全球DRAM市佔率方面，三星以44%位居第一;SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場佔有率總計超過94%。

NAND Flash領域，三星、鎧俠、西部數據、美光、海力士、英特爾為行業龍頭。 據民生證券7月統計，中國是全球第二大NAND Flash市場，佔比超過31%，但本土供應市佔率不足1%。

11月18日，時創意董事長倪黃忠在接受時代週報記者採訪時表示，中國存儲晶元行業起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領域均沒有國內廠商，近年來，以長江存儲、長鑫存儲為代表的國內龍頭廠商開始崛起。

“作為快閃記憶體行業的新人，長江存儲用三年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。” 長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，去年4月，長江存儲宣佈128層QLC 3D NAND 快閃記憶體研發成功。

中信證券在研報中稱，長江存儲是國內3D NAND Flash記憶體頭部廠商，一期專案於2019年產能達到2萬片/月，2020年擴產至5萬片/月以上水準，預計一期專案未來將達到10萬片/月產能，另外二期土建已於2020年6月開工，兩期產能規劃共30萬片/月。

長鑫存儲作為國內DRAM記憶體龍頭，三期總產能規劃37.5萬片/月。 中信證券預計，其產能將從2021年初4萬片/月擴張至2022-2023年12.5萬片/月，同時2022-2023年有望啟動二期建設（12.5萬片/月）。

國產晶片向高端進階

對存儲廠商而言，跑得夠不夠快是一個需要持續思考的問題。

以DRAM為例，由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限，在20nm製程以後，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長外，其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm製程，增長率已收縮至15%以內。

華存電子技術總工程師魏智汎告訴時代週報記者，近幾年，國內外企業級存儲主控晶元市場發展迅速，競爭激烈，華存電子不僅要面對英特爾、三星、美光等快閃記憶體原廠，還要面對美滿電子、Microsemi等傳統主控大廠的競爭。

國產存儲晶元必須從低端向高端進階。 東芯半導體副總經理陳磊表示，作為本土晶元供應商，東芯半導體目前40%以上的員工都是研發工程師，通過自主的產品設計，以及與國內晶圓廠和封裝測試廠的合作，已經打造出一條本土供應鏈體系。

在市場層面，5G、汽車電子、可穿戴設備、物聯網等新興產業及新興市場，給存儲晶元帶來旺盛需求，也對產品性能提出新要求，包括精進工藝製程、提升產品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產品快速反覆運算。

這也對整個產業鏈提出新要求。 倪黃忠表示，1.0時代，模組廠商只能做一些簡單的加工測試，開發能力較弱，產品以Micro SD卡、U盤等為主;2.0時代，模組廠商成為產品和技術的跟隨者，在行業內有一定知名度，但銷售依然難突破;步入3.0時代，模組廠商要從晶元硬體到軟體、固件的開發，延展到系統級開發以及整個設備自動化產線進行改造，有全面的技術開發能力。

“雖然摩爾定律在半導體的很多領域受到了挑戰，但在快閃記憶體這個領域還在繼續發揮作用。” 西部數據副總裁兼中國區業務總經理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，快閃記憶體密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。

劉鋼分析，摩爾定律在快閃記憶體領域有三個維度可以發揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度;二是堆疊，在縱向上發展;三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設定，從原來的SLC（Single-Level Cell，單層式存儲單元）到MLC（Multi-Level Cell，雙層式存儲單元）、TLC（Trinary-Level Cell， 三層式存儲單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層式存儲單元），在每個單元都可以增長。

雖然，當前存儲晶元市場主要由海外巨頭公司掌握，國產公司處於相對落後狀態，但國產存儲晶片已在各個細分行業展開追趕，並獲得顯著進展。 “本土存儲廠商正奮起直追，企業之間形成了密切且相互依存的產業生態鏈，國產替代正當時。” 陳磊表示。