隨著快閃記憶體的發展，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，這讓消費者很不爽，因為QLC快閃記憶體不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有緩存加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬碟。 QLC快閃記憶體性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現在的QLC快閃記憶體真實寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬碟之前有人實測過，拷貝檔的速度也就160MB/s，這個速度甚至還不如一些HDD機械盤快。

三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC快閃記憶體的性能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。

根據三星所說，新一代QLC快閃記憶體性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC快閃記憶體的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

不考慮緩存加速，320MB/s的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。