目前DDR5才隨Intel的12代酷睿Alder Lake剛上市沒多久，但三星已經在表示他們已經在開發下一代的DDR6記憶體了，在一年一代的技術日活動上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代記憶體技術的資訊。

Computerbase已經從三星那裡獲得了新一代記憶體的各種資訊，目前DDR5還處於生命週期的初期，頻率普遍不是很高，不過隨著時間的推移頻率是會慢慢上去的，三星認為在不久的將來DDR5的頻率就會提升到JEDEC標準的6400Mbps，而超頻條的頻率可達到8400Mbps， 其實現在就已經有廠商把DDR5記憶體的頻率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已經在早期開發階段，未來用於取代DDR5，當然預計至少在2025到2026年後才會推出，DDR4記憶體至少用了6年，而DDR5到DDR6估計也會差不多的時間。

三星認為未來的DDR6記憶體的JEDEC標準會達到12800Mbps，而超頻條的頻率可能會到17000Mbps，甚至可能會突破20000Mbps，目前DDR6的標準各家目前還在一同討論中，預計在2024年完成。 每個模組DDR6記憶體的通道數和現在的DDR5相比再次翻倍，變成16bit*4，bank數量增加到最多64個。

顯存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+計劃，用於取代現有的GDDR6，三星計劃在本月採用1znm開始試產GDDR6+，它的頻率能到24Gbps，並會成為下一代GPU的配置，如果真能達到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯卡顯存頻寬就能超過1TB/s，而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。

至於新一代的GDDR7顯存，預計可提供高達32Gbps的傳輸速度，並且會支援即時錯誤保護技術，但三星並沒有對其進行詳細說明。 而HBM3記憶體，三星計劃會在2022年第二季度開始投產，並表示速度會是800GB/s，將會用在未來的HPC和數據中心GPU/CPU系統中。