據外媒New Atlas報導，由格拉斯哥大學一個團隊領導的新研究揭示了對大腦進行有針對性的脈衝磁刺激如何能改善情景記憶。 這項工作發現，抑制左背外側前額葉皮層的活動能增強記憶的形成。

這項新研究基於先前的一項研究，該研究提供了意想不到的發現。 最初的調查是研究當一個人試圖自願忘記一條資訊時，大腦中發生了什麼。 眾所周知，記憶控制受到左背外側前額葉皮層活動的影響，因此先前的研究正在分析是否可以通過刺激該特定的大腦區域來增強自願遺忘。

在這之前的研究中，一個偶然的發現是，緩慢重複的經顱磁刺激實際上是通過抑制左背外側前額葉皮層的活動來改善記憶表現。

“當我們在第一項研究中看到這些效果時，我們感到相當驚訝，因為這項研究旨在調查一個不同的問題，”新研究的作者Simon Hanslmayr解釋說。 “因此，我們需要在第二個實驗中複製這些效果，看看這是否是真實的，事實上，這似乎是真實的。”

一些大學生被招募到後續實驗中。 每個參與者在兩個場合完成了一系列的記憶任務–一次是在對他們的左背外側前額葉皮層施加1赫茲的經顱磁刺激，然後第二次是在對大腦的一個控制區域施加同樣的磁刺激。

與最初的實驗一樣，當左背外側前額葉皮層的活動受到抑制時，記憶表現確實得到了改善。 研究人員在觀察參與者大腦的EEG活動時發現，磁刺激導致大腦頂葉區域的β波活動減弱。

研究人員目前提出的假設是，記憶「編碼」可以通過抑制大腦頂葉區域的活動而得到加強，而這可以通過針對大腦特定額葉區域的磁刺激來實現。 現階段還不清楚的是這些不同的大腦區域究竟是如何連接和溝通的，但這項新研究的另一位作者Mircea van der Plas建議，更多的實驗將有望回答這些問題。

“我們的電生理學結果表明，額葉刺激影響了一個更廣泛的網络，並通過抑制頂葉區域來改善記憶的形成，”van der Plas說。 “這些是複雜但有趣的影響，需要進一步的實驗來更好地瞭解它們的神經基礎。”

這項新研究發表在《PLOS生物學》雜誌上。