3月份Intel新任CEO派特·基辛格宣佈了全新的IDM 2.0戰略，其中主要內容就是投資200億美元在美國建設2座新的晶圓廠。 9月24日，基辛格駕駛挖掘機正式給新專案奠基，2024年這些工廠要首發量產20A埃米工藝。

美國亞利桑那州是Intel晶圓生產的重鎮，算上這次的投資，Intel公司40多年來已經在該地區投資了500億美元，CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力於在該領域長期投資，幫助美國半導體重回領先地位。

該投資計劃預計將創造3000多個高技術、高薪酬的長期工作崗位，以及3000多個建築就業崗位和大約15000個當地長期工作崗位。

Intel公佈了這裡兩座晶圓廠的細節，分別會命名為Fab 52、Fab 62，並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同，原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

Intel 20A工藝是今年7月份才公佈的，是Intel 10/7/4/3工藝之後的升級版，而且首次進入後納米時代，直接用了埃米（A代表的是Ångstrom，1納米等於10埃米），技術細節美公佈，但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級別，符合3nm之後的摩爾定律升級規則。

20A工藝除了EUV光刻工藝之外，還會有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根據Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。 該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電佈線需求來優化信號傳輸。

按照規劃，20A工藝預計會在2024年量產，屆時台積電的2nm工藝應該也會問世，Intel的工藝再次回到最先進水準。