業內稱三星3nm GAA存在漏電等關鍵技術問題
據業內人士透露,三星電子的3nm GAA工藝目前仍面臨著漏電等關鍵技術問題,消息人士稱,該工藝在性能和成本方面可能也不如台積電的3nm FinFET工藝。 據《電子時報》報導,上述人士表示,三星可能最早於2022年將其3nm GAA工藝量產。
但由於成本高和性能不理想,可能無法吸引到台積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶,後者據稱已經獲得了蘋果和英特爾的訂單。
台積電有望在2022年下半年將其3nm FinFET工藝推向量產,CEO魏哲家在最近的財報會議上表示,”N3將是我們N5的另一個全面擴展,並將採用FinFET晶體管結構,為我們的客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。 ”
在失去蘋果iPhone處理器訂單後,三星在尖端晶片競爭中落後於台積電。 據市場觀察人士稱,從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應商贏得3nm競爭的關鍵。
(校對/樂川)